GC20N65Q

Name: GC20N65Q
Brand: Goford Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 10A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1724 pF @ 100 V
Производитель	Goford Semiconductor
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Серия	Cool MOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	151W (Tc)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)