Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.3W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-DFN (2x2) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|