G60N04D52

Goford Semiconductor

G60N04D52

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 40V 35A 8DFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberG60
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1998pF @ 20V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Power - Max20W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-DFN (4.9x5.75)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)