G4953S

Goford Semiconductor

G4953S

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5A, 10V
Базовый Part NumberG4953
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 15V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Power - Max1.6W (Tc)

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)