G4616

Goford Semiconductor

G4616

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP

В производстве8-SOPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberG461
КонфигурацияN and P-Channel Complementary
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds415pF @ 20V, 520pF @ 20V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc), 7A (Tc)
Power - Max2W (Tc), 2.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOP
Корпус производителя8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)