G30N02T

Name: G30N02T
Brand: Goford Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 10 V
Производитель	Goford Semiconductor
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	40W (Tc)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)