G2K3N10L6

Goford Semiconductor

G2K3N10L6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberG2K3N
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 50V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Power - Max1.67W (Tc)

Механические

Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6L

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)