Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | G2K3N |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 536pF @ 50V |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
