G20N06D52

Goford Semiconductor

G20N06D52

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

В производстве8-DFN (4.9x5.75)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberG20N
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1326pF @ 30V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияTrenchFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-DFN (4.9x5.75)
Корпус производителя8-PowerTDFN

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)