Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 594pF @ 30V |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Power - Max | 2W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOP |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|