Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 10A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| FET Type | P-Channel |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 20W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|