G05NP10S

Name: G05NP10S
Brand: Goford Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 100V 5A/6A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 1A, 10V, 200mOhm @ 6A, 10V
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	797pF @ 25V, 760pF @ 25V
Производитель	Goford Semiconductor
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

Напряжение сток-исток	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc), 6A (Tc)
Power - Max	3W (Tc), 2.5W (Tc)

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)