630AT

Name: 630AT
Brand: Goford Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
Производитель	Goford Semiconductor
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка	Tube
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	83W (Tc)

Package / Case	TO-220-3
Корпус производителя	TO-220

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)