GD5F2GQ5REYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F2GQ5REYIGR

Datasheet

Память и хранение данных

LINEAR IC

В производстве8-WDFN Exposed PadПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (SLC)
Время доступа11 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияGD5F
Время цикла записи600µs

Электрические

Объем памяти2Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Тактовая частота80 MHz
Напряжение питания1.7V ~ 2V
Memory Organization256M x 8

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-WSON (6x8)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)