GD5F1GQ5UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD5F1GQ5UEYIGR

Datasheet

Память и хранение данных

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD

В производстве8-WDFN Exposed PadПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NAND (SLC)
Время доступа7 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
СерияGD5F
Время цикла записи600µs

Электрические

Объем памяти1Gbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Тактовая частота133 MHz
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
Memory Organization256M x 4

Механические

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-WSON (6x8)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)