Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NOR (SLC) |
| Время доступа | 8 ns |
| Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 120µs, 4ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WQ32ESIGR
Память и хранение данных
32MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 32Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Тактовая частота | 104 MHz |
| Напряжение питания | 1.65V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 4M x 8 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|