GD25WD40EKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25WD40EKIGR

Datasheet

Память и хранение данных

IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8USON

В производстве8-XFDFN Exposed PadПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NOR (SLC)
Время доступа6 ns
Базовый Part NumberGD25WD40
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииВ производстве
СерияGD25WD
Время цикла записи100µs, 6ms

Электрические

Объем памяти4Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Dual I/O
Тактовая частота104 MHz
Напряжение питания1.65V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

Механические

Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-USON (1.5x1.5)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)