Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NOR (SLC) |
| Время доступа | 7 ns |
| Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 90µs, 2ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256EWIGR
Память и хранение данных
256MBIT, 3.3V, WSON8 6*5MM, INDU
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 256Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Тактовая частота | 133 MHz |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 32M x 8 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-WSON (5x6) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|