GD25LX256EFIRR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LX256EFIRR

Память и хранение данных

256MBIT, 1.8V, SOP16 300MIL, IND

В производстве16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NOR (SLC)
Время доступа6 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Время цикла записи50µs, 1.2ms

Электрические

Объем памяти256Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Octal I/O, DTR
Тактовая частота200 MHz
Напряжение питания1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

Механические

Package / Case16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Корпус производителя16-SOP

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)