GD25LQ16ETIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LQ16ETIGR

Память и хранение данных

16MBIT, 1.8V, SOP8 150MIL, INDUS

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NOR (SLC)
Время доступа6 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Время цикла записи60µs, 2.4ms

Электрические

Объем памяти16Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Тактовая частота133 MHz
Напряжение питания1.65V ~ 2.1V
Memory Organization2M x 8

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)