Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NOR (SLC) |
| Время доступа | 6 ns |
| Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | GD25LE |
| Время цикла записи | 60µs, 2.4ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE80EEIGR
DatasheetПамять и хранение данных
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 8Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI |
| Тактовая частота | 133 MHz |
| Напряжение питания | 1.65V ~ 2V |
| Memory Organization | 1M x 8 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-USON (3x2) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|