GD25LE128EWJGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LE128EWJGR

Datasheet

Память и хранение данных

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON

В производстве8-WDFN Exposed PadПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NOR (SLC)
Время доступа6 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияGD25LE
Время цикла записи60µs, 2.4ms

Электрические

Объем памяти128Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI
Тактовая частота133 MHz
Напряжение питания1.65V ~ 2V
Memory Organization16M x 8

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-WSON (5x6)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 105°C (TA)