Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NOR |
| Базовый Part Number | GD25LD10 |
| Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 55µs, 6ms |
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CTIGR
DatasheetПамять и хранение данных
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 1Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Dual I/O |
| Тактовая частота | 50 MHz |
| Напряжение питания | 1.65V ~ 2V |
| Memory Organization | 128K x 8 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~85°C(TA) |
|---|