GD25LB256EWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

GD25LB256EWIGR

Datasheet

Память и хранение данных

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON

В производстве8-WDFN Exposed PadПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияFLASH - NOR (SLC)
Время доступа6 ns
ПроизводительGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииВ производстве
СерияGD25LB
Время цикла записи70µs, 1.2ms

Электрические

Объем памяти256Mbit
Формат памятиFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Тактовая частота166 MHz
Напряжение питания1.65V ~ 2V
Memory Organization32M x 8

Механические

Package / Case8-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-WSON (5x6)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)