MUR40060CTR

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER

В производствеTwin TowerАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberMUR40060
Diode Configuration1 Pair Common Anode
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)180 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 125 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTwin Tower
Корпус производителяTwin Tower

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C