MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER

УстаревшийTwin TowerАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberMUR20005
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 100 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)100A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 50 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTwin Tower
Корпус производителяTwin Tower

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C