MSRTA60080A

GeneSiC Semiconductor

MSRTA60080A

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE MODULE GP 800V 600A 3TOWER

В производствеThree TowerАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberMSRTA60080
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 600 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)600A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 600 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseThree Tower
Корпус производителяThree Tower

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C