Общие
| Базовый Part Number | GD30MPS06 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | SiC Schottky MPS™ |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 51A |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263-7 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|