Общие
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Серия | SiC Schottky MPS™ |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Package / Case | TO-220-2 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220-2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|