Общие
| Capacitance @ Vr, F | 367pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Серия | SiC Schottky MPS™ |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1200 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| Корпус производителя | TO-220-2 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|