GBPC3508W

GeneSiC Semiconductor

GBPC3508W

Аналоговые и силовые компоненты

BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W

В производстве4-Square, GBPC-WАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberGBPC3508
Diode TypeSingle Phase
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 17.5 A
Voltage - Peak Reverse (Max)800 V
Current - Average Rectified (Io)35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V

Механические

КорпусBulk
Package / Case4-Square, GBPC-W
Корпус производителяGBPC-W

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)