Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | GB50MPS17 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3193pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Серия | SiC Schottky MPS™ |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 50 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 216A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 1700 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-2 |
| Корпус производителя | TO-247-2 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|