Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7209 pF @ 800 V |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 583W (Tc) |
Механические
| Package / Case | TO-247-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-247AB |
Среда
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
|---|