Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
|---|---|
| Базовый Part Number | GA50JT06 |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 769W (Tc) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
| Корпус производителя | TO-258 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~225°C(TJ) |
|---|