GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

GA35XCP12-247

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 1200V SOT247

УстаревшийTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge50 nC
IGBT TypePT
Тип входаStandard
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)36 ns
Switching Energy2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Test Condition800V, 35A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 35A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)35 A

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AB

Среда

Рабочая температура-40°C~150°C(TJ)