Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A |
|---|---|
| Базовый Part Number | GA10SICP12 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 170W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Корпус производителя | TO-263-7 |
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|