GA10JT12-263

Name: GA10JT12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS SJT 1200V 25A

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Базовый Part Number	GA10JT12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Напряжение сток-исток	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	170W (Tc)

Корпус	Tube

Рабочая температура	175°C(TJ)