Общие
| Базовый Part Number | GA05JT12 |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 106W (Tc) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Корпус производителя | TO-263-7 |
Среда
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|