Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 1700 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (95°C) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 106W (Tc) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247AB |
Среда
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|