Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | G3R™, LoRing™ |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 750 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 182W (Tc) |
Механические
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263-7 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|