Общие
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | G3R™ |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 750 V |
|---|
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247-3 |