Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | G3R™ |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 333W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|