Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
|---|---|
| Базовый Part Number | G2R1000 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139 pF @ 1000 V |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | G2R™ |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Напряжение сток-исток | 1700 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 54W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Корпус производителя | TO-263-7 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|