Общие
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis, Stud Mount |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Технология | Standard, Reverse Polarity |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 16 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 100 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
|---|---|
| Корпус производителя | DO-4 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
|---|