Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 15A |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1534 pF @ 35 V |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) (155°C) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 172W (Tc) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-257-3 |
| Корпус производителя | TO-257 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~225°C(TJ) |
|---|