1N3879

GeneSiC Semiconductor

1N3879

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

В производствеDO-203AA, DO-4, StudАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N3879
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаChassis, Stud Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr15 µA @ 50 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Корпус производителяDO-4

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C