1N3209R

GeneSiC Semiconductor

1N3209R

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5

В производствеDO-203AB, DO-5, StudАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1N3209R
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Тип монтажаChassis, Stud Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
ТехнологияStandard, Reverse Polarity

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 15 A
Current - Average Rectified (Io)15A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

Package / CaseDO-203AB, DO-5, Stud
Корпус производителяDO-5

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C