SI6433DQ

Fairchild Semiconductor

SI6433DQ

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL MOSFET

В производстве8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1193 pF @ 10 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность600mW (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)