Общие
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | Устаревший |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 650MHz |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|