HUF75945G3

Fairchild Semiconductor

HUF75945G3

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4023 pF @ 25 V
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность310W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247AD

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)