HGTP3N60A4D

Fairchild Semiconductor

HGTP3N60A4D

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL IGBT

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge21 nC
Тип входаStandard
ПроизводительFairchild Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)29 ns
Switching Energy37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C6ns/73ns
Test Condition390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max70 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)